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容量：2000GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4/Gen5 フラッシュメモリタイプ：V-NAND TLC 読込速度：7250MB/s 書込速度：6300MB/s
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990 EVO Plus MZ-V9S2T0B-ITサムスン
最安価格(税込)：ショップが販売価格を掲載するまでお待ちください 発売日：2024年11月 8日
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2025年5月9日 15:20 [1959919-1]
| 満足度 | 3 |
|---|
| 読込速度 | 4 |
|---|---|
| 書込速度 | 3 |
| 消費電力 | 4 |
| 耐久性 | 無評価 |
今のところゲームではほとんど違いはありません。ただし、起動やデスクトップ操作に関しては、予想通り、第4世代の方が第3世代よりも若干速いです。
しかし将来的には、第4世代ドライブの速度を活用した技術が登場する可能性があります。新世代のコンソールで見られたようなことです。しかし残念ながら、まだ憶測の域を出ていません。
技術的には、OSタスクがDRAMドライブの恩恵を受けるので、ブートドライブとしてDRAMドライブを使用するのは良いことですが、目に見えるほどの違いは見られません。
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