『Samsung C-Die?』 ARCHISS AS-2400D4-8G-S(X2) [DDR4 PC4-19200 8GB 2枚組] 揚げかつパンさんのレビュー・評価

2017年 6月 9日 登録

AS-2400D4-8G-S(X2) [DDR4 PC4-19200 8GB 2枚組]

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AS-2400D4-8G-S(X2) [DDR4 PC4-19200 8GB 2枚組]ARCHISS

最安価格(税込):¥17,160 (前週比:±0 ) 登録日:2017年 6月 9日

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パッケージ

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詳細情報

 

AIDA64

SanMax

 

【速度】
通常で使用する2400メモリーとしては問題なく使用できます。
※ OCについてはあとで記述

【安定性】
問題なく安定しています。
高品質モジュールと言って良いと思います。

【互換性】
他のマザーに付いては後日、確認しますので、現状、無評価^^;

【総評】
下記構成でチェック

CPU: Ryzen7 1800X 3.9GHz
グラボ:Corsiar HX750i
マザー:BIOSTAR X370 GT7
SSD:ADATA XPG SX8000 ASX8000NP-512GM-C

とりあえず、外観から、3年保証のメモリーですね。まあ、メモリーなんてそんなに壊れないので3年あればOK!どうせ、永久保証でもそんなに使う事ないし、OCは保証対象外なので。。。どうでも良いかな

モジュール:普通のSamsungの通常品ですね?それにアーキサイトが自社のシールを貼っただけ、シンプル^^

チップ:えっ?Samsung C-Die 18nm?なにこれ?Samsung B-Die 20nmじゃないのね^^;新チップですかね。これ?
気を取り直して、OC行きます。定格なんて動いて当たりまえとばかりに2666を16-18-18くらいでスタートかな?ん!動かないな。。。
とりあえずAUTOでちょっと探ってまいりましょう

2666:18-19-19?
2933:18-21-21?
3200 18-21-21?
んん?1.2Vで3200まで無事動作、じゃあ3466は?(これは1.3V)18-24-24.。。。うーん?なんじゃこれ?
周波数耐性は悪くないね。。。
ではでは、電圧を少しずつ上げてみる。電圧耐性は悪くないね^^ ん!!よかよか^^とりあえず、1.35V辺りにしてみる(上限を1.35Vと決め打ちしてるので。。。メモリークーラーは付けてるけど、これ以上は今回の対象外という事で)

結果:3466 安定せず。。。(メモリーエラーを吐く)3200 は 16-17-17-31くらい?tRfcは350nsでないと安定しないね^^ B-Dieと同じ感じ。まあ、値段を考えれば悪くない?って感じです^^ 選別品じゃないし、そういうこともあるよね^^

SanMax SMD4-U16G48M-26V-D 3466 18-19-19-31 1.21V
これ:3200 16-17-17-31 1.35V

Micron D-Dieは3200ではCL18だったので3200ではSamsung C-Dieの方が速いけど、全体ではMicron D-Dieの方が少し速いかつ1.2Vなので、まあ、五十歩百歩かなって感じで悪くない結果です^^(Micronは1.35Vなんてとんでもない、そんなに上げられないよ^^;)

※ RyzenはCL設定が高周波数では偶数設定しかできないのでMicron D-DieはCL17 Samsung C-DieはCL15で動くのかも知れませんがその辺は調査出来ませんでした^^;と言っても0.625nsなのでどっちでも良いかな?って感じです。

AIDA64で計測した結果では、Micron D-Die 3466に少し追いつきませんでした。うーん、残念^^;

まあ、CFD Panramよりかなりましな結果なので、よかよか^^という感じです^^

今後はTaichiとC6Hでのテストを予定してます、その内容で互換性を入れまーす^^

追記:
このメモリーが3466 16-19-19-31 1.35Vで動作したのでSanMaxと再比較

あれ?SanMaxの方がレイテンシが遅いのに全体的にスループットが出てる^^;どうでも良い事くらいの差ですが。。。どうしてだろう?

追記
TaichiとC6Hで試したのでその結果

C6H:BIOSTAR X370 GT7 と同じく 3466 16-19-19-31 1.35Vまで
Taichi:CMOSリセットしなかったのがいけなかったのか?AGESAが1.0.7.x系じゃないのがいけないのか2666 16-17-17 1.25V程度

Ryzenの場合はAGESA1.0.7.xの対応が必要なのかな?

訂正:
TaichiですがCMOSリセットで3200 18-19-19で動作したとのことです。ただ、やっぱりAGESA1.0.7.x系のBIOSの方が良いみたい

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【速度】
通常で使用する2400メモリーとしては問題なく使用できます。
※ OCについてはあとで記述

【安定性】
問題なく安定しています。
高品質モジュールと言って良いと思います。

【互換性】
他のマザーに付いては後日、確認しますので、現状、無評価^^;

【総評】
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CPU: Ryzen7 1800X 3.9GHz
グラボ:Corsiar HX750i
マザー:BIOSTAR X370 GT7
SSD:ADATA XPG SX8000 ASX8000NP-512GM-C

とりあえず、外観から、3年保証のメモリーですね。まあ、メモリーなんてそんなに壊れないので3年あればOK!どうせ、永久保証でもそんなに使う事ないし、OCは保証対象外なので。。。どうでも良いかな

モジュール:普通のSamsungの通常品ですね?それにアーキサイトが自社のシールを貼っただけ、シンプル^^

チップ:えっ?Samsung C-Die 18nm?なにこれ?Samsung B-Die 20nmじゃないのね^^;新チップですかね。これ?
気を取り直して、OC行きます。定格なんて動いて当たりまえとばかりに2666を16-18-18くらいでスタートかな?ん!動かないな。。。
とりあえずAUTOでちょっと探ってまいりましょう

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3200 18-21-21?
んん?1.2Vで3200まで無事動作、じゃあ3466は?(これは1.3V)18-24-24.。。。うーん?なんじゃこれ?
周波数耐性は悪くないね。。。
ではでは、電圧を少しずつ上げてみる。電圧耐性は悪くないね^^ ん!!よかよか^^とりあえず、1.35V辺りにしてみる(上限を1.35Vと決め打ちしてるので。。。メモリークーラーは付けてるけど、これ以上は今回の対象外という事で)

結果:3466 安定せず。。。(メモリーエラーを吐く)3200 は 16-17-17-31くらい?tRfcは350nsでないと安定しないね^^ B-Dieと同じ感じ。まあ、値段を考えれば悪くない?って感じです^^ 選別品じゃないし、そういうこともあるよね^^

SanMax SMD4-U16G48M-26V-D 3466 18-19-19-31 1.21V
これ:3200 16-17-17-31 1.35V

Micron D-Dieは3200ではCL18だったので3200ではSamsung C-Dieの方が速いけど、全体ではMicron D-Dieの方が少し速いかつ1.2Vなので、まあ、五十歩百歩かなって感じで悪くない結果です^^(Micronは1.35Vなんてとんでもない、そんなに上げられないよ^^;)

※ RyzenはCL設定が高周波数では偶数設定しかできないのでMicron D-DieはCL17 Samsung C-DieはCL15で動くのかも知れませんがその辺は調査出来ませんでした^^;と言っても0.625nsなのでどっちでも良いかな?って感じです。

AIDA64で計測した結果では、Micron D-Die 3466に少し追いつきませんでした。うーん、残念^^;

まあ、CFD Panramよりかなりましな結果なので、よかよか^^という感じです^^

今後はTaichiとC6Hでのテストを予定してます、その内容で互換性を入れまーす^^

追記:
このメモリーが3466 16-19-19-31 1.35Vで動作したのでSanMaxと再比較

あれ?SanMaxの方がレイテンシが遅いのに全体的にスループットが出てる^^;どうでも良い事くらいの差ですが。。。どうしてだろう?

追記
TaichiとC6Hで試したのでその結果

C6H:BIOSTAR X370 GT7 と同じく 3466 16-19-19-31 1.35Vまで
Taichi:CMOSリセットしなかったのがいけなかったのか?AGESAが1.0.7.x系じゃないのがいけないのか2666 16-17-17 1.25V程度

Ryzenの場合はAGESA1.0.7.xの対応が必要なのかな?

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問題なく安定しています。
高品質モジュールと言って良いと思います。

【互換性】
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とりあえず、外観から、3年保証のメモリーですね。まあ、メモリーなんてそんなに壊れないので3年あればOK!どうせ、永久保証でもそんなに使う事ないし、OCは保証対象外なので。。。どうでも良いかな

モジュール:普通のSamsungの通常品ですね?それにアーキサイトが自社のシールを貼っただけ、シンプル^^

チップ:えっ?Samsung C-Die 18nm?なにこれ?Samsung B-Die 20nmじゃないのね^^;新チップですかね。これ?
気を取り直して、OC行きます。定格なんて動いて当たりまえとばかりに2666を16-18-18くらいでスタートかな?ん!動かないな。。。
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ではでは、電圧を少しずつ上げてみる。電圧耐性は悪くないね^^ ん!!よかよか^^とりあえず、1.35V辺りにしてみる(上限を1.35Vと決め打ちしてるので。。。メモリークーラーは付けてるけど、これ以上は今回の対象外という事で)

結果:3466 安定せず。。。(メモリーエラーを吐く)3200 は 16-17-17-31くらい?tRfcは350nsでないと安定しないね^^ B-Dieと同じ感じ。まあ、値段を考えれば悪くない?って感じです^^ 選別品じゃないし、そういうこともあるよね^^

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これ:3200 16-17-17-31 1.35V

Micron D-Dieは3200ではCL18だったので3200ではSamsung C-Dieの方が速いけど、全体ではMicron D-Dieの方が少し速いかつ1.2Vなので、まあ、五十歩百歩かなって感じで悪くない結果です^^(Micronは1.35Vなんてとんでもない、そんなに上げられないよ^^;)

※ RyzenはCL設定が高周波数では偶数設定しかできないのでMicron D-DieはCL17 Samsung C-DieはCL15で動くのかも知れませんがその辺は調査出来ませんでした^^;と言っても0.625nsなのでどっちでも良いかな?って感じです。

AIDA64で計測した結果では、Micron D-Die 3466に少し追いつきませんでした。うーん、残念^^;

まあ、CFD Panramよりかなりましな結果なので、よかよか^^という感じです^^

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追記:
このメモリーが3466 16-19-19-31 1.35Vで動作したのでSanMaxと再比較

あれ?SanMaxの方がレイテンシが遅いのに全体的にスループットが出てる^^;どうでも良い事くらいの差ですが。。。どうしてだろう?

追記
TaichiとC6Hで試したのでその結果

C6H:BIOSTAR X370 GT7 と同じく 3466 16-19-19-31 1.35Vまで
Taichi:CMOSリセットしなかったのがいけなかったのか?AGESAが1.0.7.x系じゃないのがいけないのか2666 16-17-17 1.25V程度

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とりあえず、外観から、3年保証のメモリーですね。まあ、メモリーなんてそんなに壊れないので3年あればOK!どうせ、永久保証でもそんなに使う事ないし、OCは保証対象外なので。。。どうでも良いかな

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んん?1.2Vで3200まで無事動作、じゃあ3466は?(これは1.3V)18-24-24.。。。うーん?なんじゃこれ?
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結果:3466 安定せず。。。(メモリーエラーを吐く)3200 は 16-17-17-31くらい?tRfcは350nsでないと安定しないね^^ B-Dieと同じ感じ。まあ、値段を考えれば悪くない?って感じです^^ 選別品じゃないし、そういうこともあるよね^^

SanMax SMD4-U16G48M-26V-D 3466 18-19-19-31 1.21V
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Micron D-Dieは3200ではCL18だったので3200ではSamsung C-Dieの方が速いけど、全体ではMicron D-Dieの方が少し速いかつ1.2Vなので、まあ、五十歩百歩かなって感じで悪くない結果です^^(Micronは1.35Vなんてとんでもない、そんなに上げられないよ^^;)

※ RyzenはCL設定が高周波数では偶数設定しかできないのでMicron D-DieはCL17 Samsung C-DieはCL15で動くのかも知れませんがその辺は調査出来ませんでした^^;と言っても0.625nsなのでどっちでも良いかな?って感じです。

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まあ、CFD Panramよりかなりましな結果なので、よかよか^^という感じです^^

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追記:
このメモリーが3466 16-19-19-31 1.35Vで動作したのでSanMaxと再比較

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とりあえず、外観から、3年保証のメモリーですね。まあ、メモリーなんてそんなに壊れないので3年あればOK!どうせ、永久保証でもそんなに使う事ないし、OCは保証対象外なので。。。どうでも良いかな

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チップ:えっ?Samsung C-Die 18nm?なにこれ?Samsung B-Die 20nmじゃないのね^^;新チップですかね。これ?
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結果:3466 安定せず。。。(メモリーエラーを吐く)3200 は 16-17-17-31くらい?tRfcは350nsでないと安定しないね^^ B-Dieと同じ感じ。まあ、値段を考えれば悪くない?って感じです^^ 選別品じゃないし、そういうこともあるよね^^

SanMax SMD4-U16G48M-26V-D 3466 18-19-19-31 1.21V
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Micron D-Dieは3200ではCL18だったので3200ではSamsung C-Dieの方が速いけど、全体ではMicron D-Dieの方が少し速いかつ1.2Vなので、まあ、五十歩百歩かなって感じで悪くない結果です^^(Micronは1.35Vなんてとんでもない、そんなに上げられないよ^^;)

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Samsung C-Die?  5 2018年1月4日 19:38

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